中芯国际只能救急，自主可控还需攻克难关

金融投资报评论员 刘柯

中芯国际A股IPO被受理的消息，给调整多时的科技板块注入一剂强心针，特别是半导体芯片板块更是出现了久违的集体大涨。参股中芯国际的大唐电信已经连续两个涨停，一众与中芯国际有合作的公司也表现出色。

中芯国际是全球第三大芯片代工制造企业，它存在的意义在于，即便我们不能委托台积电、格罗方德和三星生产芯片，还有中芯国际这个“备胎”，尽管它的技术水平远低于上述几个竞争对手。

目前，台积电和三星的技术水平是已经实现7纳米制程的产业化，所有华为高端麒麟芯片几乎全部由台积电代工生产，而台积电现在正在积极改良5纳米技术，产业化近在咫尺。以单个芯片来看，7纳米制程的芯片大小是14纳米的一半，功效可以提高20%甚至更多，能耗却可以降低40%，而且芯片面积小了手机的空间就大了，其余配件的加盟就可以提升整体性能。

而中芯国际目前的技术水平是14纳米制程产业化，目前正在攻克10纳米技术。也就是说，即便中芯国际能为华为代工，也只能是14纳米技术的中低端芯片。这也是为什么华为要在缓冲期囤积大量高端芯片，甚至传闻台积电将其它芯片产能先提供给华为。如果只有中芯国际的14纳米芯片，那华为的手机性能就会比苹果和使用高通芯片的国内竞争对手低几个档次，由此产生的连锁效应将是华为无法承受的。

从另一个角度分析，中芯国际虽然是不折不扣的中国企业，但也有一个比较棘手的问题，就是其所有的核心设备和原材料基本都来自欧美和日本，也就是说绕不过《瓦森纳协定》，这也是为什么中芯国际到现在都还拿不到ASML的极紫外光刻机(EUV光刻)的原因，而所有7纳米的芯片必须使用EUV光刻机才能实现。即便不是极紫外光刻机，中芯国际其它ASML的光刻机，以及来自美国的一些核心设备和原材料，也会受到各种各样的限制。所以，中芯国际现在要想突破10纳米甚至到7纳米，没有自主可控的半导体核心设备是不可能的，特别是被认为“半导体制造皇冠”的光刻机。

目前，国内也有技术含量不高的光刻机，那就是上海微电子的90纳米光刻机，可以实现中低端芯片的生产。而国内最顶尖的光刻机曝光系统，是集成电路装备专项(02专项)的28纳米曝光系统，技术承担者是中科院长春光机所，已经在两三年前完成，最近据传上海微电子即将量产22纳米光刻机，应该就是这个技术的产业化。而长光所唯一的上市公司奥普光电日前在互动平台上回答投资者提问时透露，目前大股东长光所已经在研发更高技术水平的光刻机曝光系统。如果是比28纳米更先进，那就是14纳米甚至是7纳米的技术。

因此，中芯国际只是一个好的开始，要真正实现更高水平的自主可控进口替代，前提必须是要有更高技术水平的上游设备和原材料的率先国产替代，否则要么用国际落后的技术，要么时时刻刻担心被制裁。在核心技术上要摆脱依赖的关键，是“解决有无”和“解决好坏”两手抓，突破半导体设备和原材料的高技术自主可控进口替代，这样才能实现高技术芯片制造不受制于人。